絕緣柵雙極晶體管(IGBT)誕生于1980年前后,其發明要遠遠晚于BJT三極管與MOSFET。如此一來,這一新生器件自然也是結合了“前輩”們的優點。從等效電路圖上來看,IGBT本質上是一個MOSFET加一個BJT復合而成,并且也具備MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導通壓降兩大特點。


電子產品的外觀缺陷檢測是確保產品質量和可靠性的重要環節。以下是一個系統的外觀缺陷檢測方案,包括檢測方法、設備應用和實施步驟。


虛焊是指電子元器件與電路板之間的焊接不良,可能導致接觸不良、信號干擾或完全失效。以下是一些常用的虛焊檢測方法和技巧:


測試IC芯片是確保其性能和可靠性的重要步驟。在進行測試之前,必須做好充分的準備。以下是測試IC芯片的全流程詳解,包括準備工作和測試步驟。


電子元器件失效分析是識別和理解電子元器件失效原因的過程,以便采取措施提高產品的可靠性和性能。以下是電子元器件失效分析的常見方法、類型及其原因:


檢測IC芯片的好壞是確保電子產品功能正常的重要步驟。以下是常見的IC芯片檢測方法及注意事項: 1. 檢測方法 a. 視覺檢查 描述:通過顯微鏡或放大鏡檢查芯片的外觀,尋找物理損傷、焊接缺陷或污染。 注意事項:檢查引腳是否彎曲、缺失或有氧化現象。 b. 功能測試 描述:將芯片放置在測試電路中,驗證其是否按照規格書正常工作。 注意事項:確保測試電壓和頻率符合芯片規格,避免損壞。 c. 靜態測試 描述:對芯片的輸入和輸出引腳進行電壓和電流測量,檢查是否符合預期值。 注意事項:使用高精度的萬用表,確保

